Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R099C6ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122702
-
50,12lei
- Fără TVA:42,12lei
-
- 3 sau mai multe 30,65lei
- 7 sau mai multe 29,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R099C6ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: PG-TO263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 278W
Curent drena: 37.9A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO263-3 |
| Curent drena | 37.9A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 99mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 600V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |