Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB200N25N3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122689
-
77,97lei
- Fără TVA:65,52lei
-
- 2 sau mai multe 47,61lei
- 5 sau mai multe 45,05lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB200N25N3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 250V
Capsula: PG-TO263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 300W
Curent drena: 64A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO263-3 |
| Curent drena | 64A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 20mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 250V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |