Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB108N15N3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122680
-
23,99lei
- Fără TVA:19,83lei
-
- 5 sau mai multe 20,67lei
- 6 sau mai multe 18,06lei
- 13 sau mai multe 17,11lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB108N15N3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 150V
Capsula: PG-TO263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 214W
Curent drena: 83A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO263-3 |
| Curent drena | 83A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 10.8mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 150V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |