Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB107N20N3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122678
-
77,24lei
- Fără TVA:64,90lei
-
- 2 sau mai multe 47,38lei
- 5 sau mai multe 44,83lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB107N20N3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 200V
Capsula: PG-TO263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 300W
Curent drena: 88A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO263-3 |
| Curent drena | 88A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 10.7mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 200V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |