Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB100N04S303ATMA1

Distribuie
  • 12,63lei

  • Fără TVA:10,61lei

  • 5 sau mai multe 11,36lei
  • 10 sau mai multe 8,97lei
  • 24 sau mai multe 8,50lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB100N04S303ATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 40V

Capsula: PG-TO263-3

Montare: SMD

Putere disipata: 214W

Curent drena: 100A

Caracteristici
Carcasa PG-TO263-3
Curent drena 100A
Incarcatura poarta 110nC
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 2.5mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 40V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha