Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB081N06L3G
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122670
-
7,97lei
- Fără TVA:6,59lei
-
- 5 sau mai multe 7,08lei
- 17 sau mai multe 5,93lei
- 38 sau mai multe 5,59lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB081N06L3G
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 60V
Capsula: PG-TO263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 79W
Curent drena: 50A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO263-3 |
| Curent drena | 50A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 8.1mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 60V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |