Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB067N08N3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122666
-
13,96lei
- Fără TVA:11,54lei
-
- 5 sau mai multe 11,96lei
- 12 sau mai multe 8,53lei
- 27 sau mai multe 8,07lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB067N08N3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 80V
Capsula: PG-TO263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 136W
Curent drena: 80A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO263-3 |
| Curent drena | 80A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 6.7mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 80V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |