Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB038N12N3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122653
-
26,47lei
- Fără TVA:21,87lei
-
- 6 sau mai multe 16,99lei
- 14 sau mai multe 16,08lei
- 500 sau mai multe 15,91lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (605 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB038N12N3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 120V
Capsula: PG-TO263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 300W
Curent drena: 120A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO263-3 |
| Curent drena | 120A |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 3.8mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 120V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |