Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB037N06N3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122652
-
11,07lei
- Fără TVA:9,15lei
-
- 5 sau mai multe 9,76lei
- 12 sau mai multe 8,21lei
- 28 sau mai multe 7,76lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB037N06N3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 60V
Capsula: PG-TO263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 188W
Curent drena: 90A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO263-3 |
| Curent drena | 90A |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 3.7mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 60V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |