Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB025N08N3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122638
-
41,14lei
- Fără TVA:34,57lei
-
- 4 sau mai multe 27,36lei
- 8 sau mai multe 25,89lei
- 250 sau mai multe 24,88lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB025N08N3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 80V
Capsula: PG-TO263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 300W
Curent drena: 120A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO263-3 |
| Curent drena | 120A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 2.5mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 80V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |