Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB019N06L3GATMA1

Distribuie
  • 17,92lei

  • Fără TVA:14,81lei

  • 9 sau mai multe 10,77lei
  • 21 sau mai multe 10,19lei
  • 200 sau mai multe 9,71lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (622 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB019N06L3GATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 60V

Capsula: PG-TO263-3

Montare: SMD

Putere disipata: 250W

Curent drena: 120A

Caracteristici
Carcasa PG-TO263-3
Curent drena 120A
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 1.9mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 60V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha