Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB017N08N5ATMA1

Distribuie
  • 45,44lei

  • Fără TVA:37,55lei

  • 5 sau mai multe 26,55lei
  • 6 sau mai multe 17,78lei
  • 13 sau mai multe 16,83lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (789 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB017N08N5ATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 80V

Capsula: PG-TO263-3

Montare: SMD

Putere disipata: 375W

Curent drena: 120A

Caracteristici
Carcasa PG-TO263-3
Curent drena 120A
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 1.7mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 80V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha