Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB015N04NGATMA1

Distribuie
  • 33,87lei

  • Fără TVA:28,46lei

  • 7 sau mai multe 15,02lei
  • 15 sau mai multe 14,20lei
  • 500 sau mai multe 13,41lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB015N04NGATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 40V

Capsula: PG-TO263-3

Montare: SMD

Putere disipata: 250W

Curent drena: 120A

Caracteristici
Carcasa PG-TO263-3
Curent drena 120A
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 1.5mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 40V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha