Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3-2, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R099CPATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122705
-
50,55lei
- Fără TVA:41,78lei
-
- 3 sau mai multe 38,73lei
- 6 sau mai multe 36,66lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3-2, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R099CPATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: PG-TO263-3-2
Montare: SMD
Putere disipata: 255W
Curent drena: 31A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO263-3-2 |
| Curent drena | 31A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0,105Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 600V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |