Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD90R1K2C3BTMA1

Distribuie
  • 8,47lei

  • Fără TVA:7,11lei

  • 3 sau mai multe 7,27lei
  • 10 sau mai multe 5,80lei
  • 18 sau mai multe 5,15lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD90R1K2C3BTMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 900V

Capsula: PG-TO252-3

Montare: SMD

Putere disipata: 83W

Curent drena: 3.2A

Caracteristici
Carcasa PG-TO252-3
Curent drena 3.2A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 1.2Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 900V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha