Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD80R900P7ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122873
-
10,88lei
- Fără TVA:8,99lei
-
- 10 sau mai multe 7,13lei
- 22 sau mai multe 4,54lei
- 50 sau mai multe 4,29lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (2480 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD80R900P7ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 800V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 45W
Curent drena: 3.9A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
| Carcasa | PG-TO252-3 |
| Curent drena | 3.9A |
| Incarcatura poarta | 15nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.9Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 800V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |