Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD80R750P7ATMA1

Distribuie
  • 7,16lei

  • Fără TVA:6,02lei

  • 5 sau mai multe 6,31lei
  • 20 sau mai multe 4,70lei
  • 45 sau mai multe 4,45lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD80R750P7ATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 800V

Capsula: PG-TO252-3

Montare: SMD

Putere disipata: 51W

Curent drena: 4.6A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa PG-TO252-3
Curent drena 4.6A
Incarcatura poarta 17nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.75Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 800V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha