Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD80R3K3P7ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122869
-
7,35lei
- Fără TVA:6,18lei
-
- 5 sau mai multe 4,23lei
- 25 sau mai multe 3,71lei
- 28 sau mai multe 3,30lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD80R3K3P7ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 800V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 18W
Curent drena: 1.3A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
| Carcasa | PG-TO252-3 |
| Curent drena | 1.3A |
| Incarcatura poarta | 6nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 3.3Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 800V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |