Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD65R950CFDBTMA1

Distribuie
  • 6,46lei

  • Fără TVA:5,43lei

  • 3 sau mai multe 5,57lei
  • 10 sau mai multe 4,45lei
  • 24 sau mai multe 3,94lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD65R950CFDBTMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 650V

Capsula: PG-TO252-3

Montare: SMD

Putere disipata: 36.7W

Curent drena: 3.9A

Caracteristici
Carcasa PG-TO252-3
Curent drena 3.9A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.95Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 650V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha