Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD65R380E6BTMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122838
-
11,14lei
- Fără TVA:9,36lei
-
- 3 sau mai multe 9,57lei
- 10 sau mai multe 7,71lei
- 14 sau mai multe 6,83lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD65R380E6BTMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 650V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 83W
Curent drena: 10.6A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO252-3 |
| Curent drena | 10.6A |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.38Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 650V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |