Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD65R1K4C6ATMA1

Distribuie
  • 5,73lei

  • Fără TVA:4,82lei

  • 3 sau mai multe 3,83lei
  • 10 sau mai multe 3,36lei
  • 12 sau mai multe 3,03lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD65R1K4C6ATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 650V

Capsula: PG-TO252-3

Montare: SMD

Putere disipata: 28.4W

Curent drena: 2.8A

Caracteristici
Carcasa PG-TO252-3
Curent drena 2.8A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 1.4Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 650V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha