Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD60R600P7ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122828
-
9,28lei
- Fără TVA:7,80lei
-
- 5 sau mai multe 8,06lei
- 13 sau mai multe 6,46lei
- 30 sau mai multe 6,11lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD60R600P7ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 30W
Curent drena: 4A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
| Carcasa | PG-TO252-3 |
| Curent drena | 4A |
| Incarcatura poarta | 9nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.6Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 600V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |