Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD60R2K0C6BTMA1

Distribuie

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 600V

Capsula: PG-TO252-3

Montare: SMD

Putere disipata: 22.3W

Curent drena: 2.4A

Caracteristici

Carcasa	PG-TO252-3
Curent drena	2.4A
Nivel dificultate	Avansat
Polarizare	unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii	2Ω
Subtip canal	îmbogăţit
Tensiune drena-sursa	600V
Tensiune poarta-sursa	±20V
Tip produs	Datalogger

Spune-ţi opinia

Numele tău:

Opinia ta:

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!

Nota: Rău Bun

Captcha

Introdul codul de verificare