Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD60R1K0CEATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122816
-
4,02lei
- Fără TVA:3,38lei
-
- 10 sau mai multe 3,40lei
- 30 sau mai multe 2,68lei
- 40 sau mai multe 2,18lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD60R1K0CEATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 37W
Curent drena: 4.3A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO252-3 |
| Curent drena | 4.3A |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 600V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |