Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD50R950CEATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122812
-
5,12lei
- Fără TVA:4,30lei
-
- 3 sau mai multe 2,30lei
- 10 sau mai multe 1,86lei
- 55 sau mai multe 1,68lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD50R950CEATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 500V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 34W
Curent drena: 4.3A
Caracteristici
Carcasa | PG-TO252-3 |
Curent drena | 4.3A |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.95Ω |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 500V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |