Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD50R800CEATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122811
-
4,37lei
- Fără TVA:3,67lei
-
- 5 sau mai multe 2,14lei
- 22 sau mai multe 1,61lei
- 123 sau mai multe 1,52lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD50R800CEATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 500V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 40W
Curent drena: 5A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO252-3 |
| Curent drena | 5A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.8Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 500V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |