Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD50R399CPBTMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122807
-
12,65lei
- Fără TVA:10,45lei
-
- 3 sau mai multe 10,96lei
- 10 sau mai multe 8,80lei
- 13 sau mai multe 7,78lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD50R399CPBTMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 500V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 83W
Curent drena: 9A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO252-3 |
| Curent drena | 9A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.399Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 500V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |