Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD50R399CPATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122806
-
12,35lei
- Fără TVA:10,38lei
-
- 3 sau mai multe 10,68lei
- 10 sau mai multe 8,58lei
- 13 sau mai multe 7,56lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD50R399CPATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 500V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 83W
Curent drena: 9A
Caracteristici
Carcasa | PG-TO252-3 |
Curent drena | 9A |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.399Ω |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 500V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |