Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD25CN10NGATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122788
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD25CN10NGATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 71W
Curent drena: 25A
Caracteristici
Carcasa | PG-TO252-3 |
Curent de drena in impuls | 140A |
Curent drena | 25A |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 25mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 100V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |