Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD200N15N3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122786
-
16,23lei
- Fără TVA:13,41lei
-
- 5 sau mai multe 11,93lei
- 10 sau mai multe 10,70lei
- 25 sau mai multe 10,64lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD200N15N3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 150V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 150W
Curent drena: 40A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO252-3 |
| Curent de drena in impuls | 200A |
| Curent drena | 40A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 20mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 150V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |