Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD180N10N3GBTMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122785
-
5,41lei
- Fără TVA:4,55lei
-
- 5 sau mai multe 3,94lei
- 12 sau mai multe 2,92lei
- 69 sau mai multe 2,76lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD180N10N3GBTMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 71W
Curent drena: 43A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO252-3 |
| Curent drena | 43A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 18mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 100V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |