Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD12CN10NGATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122783
-
14,01lei
- Fără TVA:11,58lei
-
- 2 sau mai multe 13,16lei
- 10 sau mai multe 10,48lei
- 13 sau mai multe 7,68lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (1504 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD12CN10NGATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 125W
Curent drena: 67A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO252-3 |
| Curent drena | 67A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 12.4mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 100V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |