Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD088N06N3GBTMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122780
-
5,75lei
- Fără TVA:4,83lei
-
- 3 sau mai multe 3,80lei
- 10 sau mai multe 3,26lei
- 13 sau mai multe 2,74lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD088N06N3GBTMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 60V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 71W
Curent drena: 50A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO252-3 |
| Curent drena | 50A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 8.8mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 60V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |