Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD048N06L3GBTMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122773
-
6,14lei
- Fără TVA:5,16lei
-
- 3 sau mai multe 5,13lei
- 10 sau mai multe 4,01lei
- 11 sau mai multe 3,36lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD048N06L3GBTMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 60V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 115W
Curent drena: 90A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO252-3 |
| Curent drena | 90A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 4.8mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 60V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |