Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD038N06N3GATMA1

Distribuie
  • 7,93lei

  • Fără TVA:6,67lei

  • 5 sau mai multe 6,83lei
  • 19 sau mai multe 4,85lei
  • 44 sau mai multe 4,60lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD038N06N3GATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 60V

Capsula: PG-TO252-3

Montare: SMD

Putere disipata: 188W

Curent drena: 90A

Caracteristici
Carcasa PG-TO252-3
Curent drena 90A
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 3.8mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 60V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha