Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD038N06N3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122771
-
7,93lei
- Fără TVA:6,67lei
-
- 5 sau mai multe 6,83lei
- 19 sau mai multe 4,85lei
- 44 sau mai multe 4,60lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD038N06N3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 60V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 188W
Curent drena: 90A
Caracteristici
Carcasa | PG-TO252-3 |
Curent drena | 90A |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 3.8mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 60V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |