Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD031N06L3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122768
-
18,19lei
- Fără TVA:15,29lei
-
- 5 sau mai multe 14,33lei
- 9 sau mai multe 10,43lei
- 21 sau mai multe 9,86lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (1074 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD031N06L3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 60V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 167W
Curent drena: 100A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO252-3 |
| Curent drena | 100A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 3.1mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 60V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |