Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD031N03LGATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122767
-
7,05lei
- Fără TVA:5,93lei
-
- 5 sau mai multe 6,39lei
- 19 sau mai multe 4,93lei
- 45 sau mai multe 4,66lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (1478 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD031N03LGATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 30V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 94W
Curent drena: 79A
Caracteristici
Carcasa | PG-TO252-3 |
Curent drena | 79A |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 3.1mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 30V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |