Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IPC100N04S5L-1R9

Distribuie
  • 9,58lei

  • Fără TVA:8,05lei

  • 5 sau mai multe 8,53lei
  • 14 sau mai multe 6,68lei
  • 32 sau mai multe 6,31lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IPC100N04S5L-1R9

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 40V

Capsula: PG-TDSON-8

Montare: SMD

Putere disipata: 100W

Curent drena: 100A

Caracteristici
Carcasa PG-TDSON-8
Curent drena 100A
Incarcatura poarta 81nC
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 1.9mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 40V
Tensiune poarta-sursa ±16V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha