Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IPC100N04S5L-1R5

Distribuie
  • 6,53lei

  • Fără TVA:5,49lei

  • 5 sau mai multe 5,86lei
  • 19 sau mai multe 4,87lei
  • 44 sau mai multe 4,60lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IPC100N04S5L-1R5

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 40V

Capsula: PG-TDSON-8

Montare: SMD

Putere disipata: 115W

Curent drena: 100A

Caracteristici
Carcasa PG-TDSON-8
Curent drena 100A
Incarcatura poarta 95nC
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 1.5mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 40V
Tensiune poarta-sursa ±16V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha