Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IPC100N04S5-1R9

Distribuie
  • 5,50lei

  • Fără TVA:4,62lei

  • 5 sau mai multe 4,90lei
  • 23 sau mai multe 4,11lei
  • 52 sau mai multe 3,89lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IPC100N04S5-1R9

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 40V

Capsula: PG-TDSON-8

Montare: SMD

Putere disipata: 100W

Curent drena: 100A

Caracteristici
Carcasa PG-TDSON-8
Curent drena 100A
Incarcatura poarta 65nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 1.9mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 40V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha