Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IAUC120N04S6N009ATMA1

Distribuie

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 40V

Capsula: PG-TDSON-8

Montare: SMD

Putere disipata: 150W

Curent drena: 120A

Caracteristici

Caracteristici elemente semiconductoare	logic level
Carcasa	PG-TDSON-8
Curent de drena in impuls	480A
Curent drena	120A
Incarcatura poarta	33nC
Nivel dificultate	Avansat
Polarizare	unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii	0.9mΩ
Subtip ambalaj	bandă, rolă
Subtip canal	îmbogăţit
Tensiune drena-sursa	40V
Tensiune poarta-sursa	±20V
Tip produs	Datalogger

Spune-ţi opinia

Numele tău:

Opinia ta:

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!

Nota: Rău Bun

Captcha

Introdul codul de verificare