Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC900N20NS3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121958
-
9,27lei
- Fără TVA:7,79lei
-
- 3 sau mai multe 8,04lei
- 7 sau mai multe 5,37lei
- 38 sau mai multe 5,07lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC900N20NS3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 200V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 62.5W
Curent drena: 15.2A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TDSON-8 |
| Curent drena | 15.2A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 90mΩ |
| Tensiune drena-sursa | 200V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |