Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC190N12NS3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121945
-
8,34lei
- Fără TVA:7,01lei
-
- 3 sau mai multe 7,20lei
- 8 sau mai multe 4,81lei
- 42 sau mai multe 4,53lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC190N12NS3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 120V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 69W
Curent drena: 44A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TDSON-8 |
| Curent drena | 44A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 19mΩ |
| Tensiune drena-sursa | 120V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |