Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC16DN25NS3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121944
-
9,95lei
- Fără TVA:8,36lei
-
- 3 sau mai multe 8,58lei
- 6 sau mai multe 5,80lei
- 35 sau mai multe 5,49lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC16DN25NS3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 250V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 62.5W
Curent drena: 10.9A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TDSON-8 |
| Curent drena | 10.9A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.165Ω |
| Tensiune drena-sursa | 250V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |