Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC12DN20NS3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121941
-
7,43lei
- Fără TVA:6,24lei
-
- 3 sau mai multe 6,43lei
- 8 sau mai multe 4,28lei
- 47 sau mai multe 4,06lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC12DN20NS3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 200V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 50W
Curent drena: 11.3A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TDSON-8 |
| Curent drena | 11.3A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.125Ω |
| Tensiune drena-sursa | 200V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |