Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC123N08NS3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121939
-
9,96lei
- Fără TVA:8,37lei
-
- 10 sau mai multe 8,25lei
- 18 sau mai multe 5,14lei
- 41 sau mai multe 4,85lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (2863 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC123N08NS3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 80V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 66W
Curent drena: 55A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TDSON-8 |
| Curent drena | 55A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 12.3mΩ |
| Tensiune drena-sursa | 80V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |