Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC109N10NS3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121932
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC109N10NS3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 78W
Curent drena: 63A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TDSON-8 |
| Curent drena | 63A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 10.9mΩ |
| Tensiune drena-sursa | 100V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |