Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC050NE2LSATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121882
-
5,20lei
- Fără TVA:4,37lei
-
- 3 sau mai multe 3,71lei
- 10 sau mai multe 3,13lei
- 33 sau mai multe 2,84lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC050NE2LSATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 25V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 28W
Curent drena: 39A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TDSON-8 |
| Curent drena | 39A |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 5mΩ |
| Tensiune drena-sursa | 25V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |