Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC0503NSIATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121877
-
9,06lei
- Fără TVA:7,62lei
-
- 10 sau mai multe 6,09lei
- 30 sau mai multe 3,02lei
- 70 sau mai multe 2,86lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC0503NSIATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 30V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 50W
Curent drena: 100A
Caracteristici
Carcasa | PG-TDSON-8 |
Curent drena | 100A |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.9mΩ |
Tensiune drena-sursa | 30V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |