Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC018NE2LSIATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121839
-
2,78lei
- Fără TVA:2,30lei
-
- 5 sau mai multe 2,48lei
- 25 sau mai multe 2,16lei
- 36 sau mai multe 2,16lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC018NE2LSIATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 25V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 69W
Curent drena: 29A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TDSON-8 |
| Curent drena | 29A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.8mΩ |
| Tensiune drena-sursa | 25V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |